日前，從西安理工大學傳來喜訊，該校承擔的國家科技重大專項極大規(guī)模集成電路用單晶爐的關鍵技術，在大直徑、高品質電子級硅單晶設備的研制和技術轉化方面取得了重大突破，為我省在大尺寸晶體生長設備制造領域占領了技術制高點。

　　自1961年西安理工大學研制出我國第一臺單晶爐，到目前已開發(fā)出12大系列、60余個型號的3″-8″晶體生長設備，2007年自主研發(fā)的國內(nèi)首臺TDR-150型單晶爐拉制出國內(nèi)第一根12英寸無位錯硅單晶。TDR100型硅單晶爐通過美國應用材料公司CE認證并已銷往芬蘭，多芯硅芯爐已定型生產(chǎn)，目前已占據(jù)國內(nèi)多晶硅行業(yè)80%的市場份額。

　　西安理工大學國家科技重大專項攻關團隊，凝聚了自動控制、電子信息、檢測及傳感、機械、材料等多學科交叉的科研人才，自2009年1月實施國家科技重大專項“300mm硅單晶直拉生長裝備的開發(fā)”項目以來，項目課題組在國外技術封鎖，國內(nèi)相關技術匱乏的情況下，凝聚斗志，潛心攻關，歷經(jīng)20個月，研發(fā)團隊從自主設計、單元測試、整機制造、系統(tǒng)調(diào)試和拉晶實驗，2010年9月5日終于在自主研制的300mm硅單晶爐中成功拉制出300mm無位錯硅單晶棒。

　　隨著國家科技重大專項的實施，創(chuàng)新團隊在硅材料應用工程領域取得了一系列突破性成果，主要有：研制成功國內(nèi)第一臺電子級單晶爐用大型勾型磁場，打破了國外公司對大尺寸磁場的技術和產(chǎn)品壟斷;提出了基于功率調(diào)節(jié)技術的新型直徑控制新方法，提高了晶體品質;發(fā)明了高精度激光液面測距方法，實現(xiàn)熔硅液面的精確控制;研制成功高效率、高功率因數(shù)的新型“綠色”電源，降低能源消耗。

　　截至目前，結合承擔國家科技重大專項項目，該創(chuàng)新團隊掌握了一批電子級單晶爐研制的關鍵共性技術，已申請發(fā)明專利12件，國際發(fā)明專利2件，超額完成項目合同目標任務。該項目所申請的專利涵蓋從機械設計、制造工藝、控制技術、工藝技術等全過程，因此單晶爐整機具有自主知識產(chǎn)權，特別是大型勾型磁場和激光液面測距技術申請為國際專利，表明項目所具備的技術已進入國際領先水平。同時，該創(chuàng)新團隊正在起草一部行業(yè)標準《MCZ系列直拉法單晶爐》。

　　為了使國家科技重大專項在我省開花結果，今年5月6日省政府副省長吳登昌專程到西安理工大學召開省政府第52次專題會議，會議決定支持西安理工大學國家科技重大專項的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，更加鼓舞了研發(fā)人員的士氣。目前，西安理工大學正按照省政府第52次專題會議精神，與陜西電子信息集團進行全面合作，通過將國家科技重大專項成果的轉化，引領陜西新興產(chǎn)業(yè)的裝備制造業(yè)向高端化發(fā)展，迅速提升我省乃至全國的單晶爐技術水平，保持技術領先地位，打破國外大公司對高端電子級單晶爐的技術壟斷。